在AI算力與數據存儲需求爆發的時代，兆科科技推出的TIF500-65-11ES導熱材料，以6.5W/m·K超高導熱系數與30%壓縮變形率，成為DRAM、HBM等高速記憶體芯片的散熱核心。其超軟硅膠基材（硬度20°ShoreOO）完美貼合芯片表面微凸起，消除氣隙熱阻，使記憶體模組在持續高頻讀寫下溫度降低15℃，穩定性提升30%

技術突破：從材料到場景的精準適配

納米級熱傳導：通過陶瓷填充復合填料，實現熱量在芯片-散熱器間的定向傳導，熱阻較傳統硅脂降低40%。

動態應力緩沖：在-40℃至200℃極端溫差下，材料形變率＜5%，避免因熱脹冷縮導致的芯片焊點斷裂。

高可壓縮性,柔軟兼有彈性,適合于在低壓力應用環境

行業應用：從數據中心到邊緣計算

AI訓練集群：在NVIDIA H100 GPU模組中，TIF500-60-11ES使內存溫度穩定在85℃以下，推理速度提升12%。

5G基站：應用于毫米波天線內存散熱，滿足-40℃至85℃寬溫運行，故障率下降60%。

未來布局：散熱即服務（TaaS）

兆科計劃將TIF500-65-11ES與相變材料結合，推出智能溫控散熱模組，通過實時調節導熱系數實現“按需散熱”，預計2026年量產。正如行業專家評價：“當散熱材料成為芯片的‘第二層皮膚’，性能瓶頸將不復存在。”